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几种新型内存

◆带高速缓存动态随机存储器:CDRAM(Cached DRAM)
  CDRAM是日本三菱电气公司开发的专有技术,通过在DRAM芯片上集成一定数量的高速SRAM作为高速缓冲存储器Cache和同步控制接口,来提高存储器的性能。这种芯片使用单一的+3?3V电源,低压TTL输入输出电平。目前三菱公司可以提供的CDRAM为4MB和16MB版本,其片内Cache为16KB,与128位内部总线配合工作,可以实现100MHz的数据访问。流水线式存取时间为7纳秒。
◆Direct Rambus接口动态随机存储器:DRDRAM(Direct Rambus DRAM)
  从1996年开始,Rambus公司就在Intel公司的支持下制定出新一代RDRAM标准,这就是DRDRAM。它与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令而变,同一组引脚线可以被定义成地址,也可以被定义成控制线。其引脚数仅为正常DRAM的三分之一。当需要扩展芯片容量时,只需要改变命令,不需要增加芯片引脚。这种芯片可以支持400MHz外频,再利用上升沿和下降沿两次传输数据,可以使数据传输率达到800MHz。同时通过把单个内存芯片的数据输出通道从8位扩展成16位,这样在100MHz时就可以使最大数据输出率达1?6GB/s。
◆双数据传输率同步动态随机存储器:DDR DRAM(Double Data Rate DRAM)
  在同步动态读写存储器SDRAM的基础上,采用延时锁定环(Delay-1ocked Loop)技术提供数据选通信号对数据进行精确定位,在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据(而不是第一代SDRAM仅在时钟脉冲的下降沿传输数据,“DDR”即是“双数据率”的意思),这样就在不提高时钟频率的情况下,使数据传输率提高一倍。由于DDR DRAM需要新的高速时钟同步电路和符合JEDEC标准的存储器模块,所以主板和芯片组的成本较高,一般只能用于高档服务器和工作站上。另外,最近出品的GeForce 256显卡大量采用了DDR存储器,显示效果成倍提升。
◆同步链动态随机存储器:SLDRAM(Synchnonous Link DRAM)
  由IBM、惠普、苹果、NEC、富士通、东芝、三星和西门子等大公司联合制定的一种原本最有希望成为标准高速DRAM的存储器。这是一种在原DDR DRAM基础上发展起来的高速动态读写存储器。它具有与DRDRAM相同的高数据传输率,但其工作频率要低一些,可用于通信、消费类电子产品、高档PC和服务器中。由于SLDRAM联盟成员之间难以协调一致,加上Intel公司不支持这种标准,所以这种动态存储器难以形成气候。
◆虚拟通道存储器:VCM(Virtual Channel Memory)
  VCM由NEC公司开发,是一种新兴的“缓冲式DRAM”,该技术将在大容量SDRAM中采用。它集成了所谓的“通道缓冲”,由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输(即“带宽”增大)的同时,VCM还维持着与传统SDRAM的高度兼容性,所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。在设计上,系统(主要是主板)不需要作大的改动,便能提供对VCM的支持。VCM可从内存前端进程的外部对所集成的这种“通道缓冲”执行读写操作。对于内存单元与通道缓冲之间的数据传输,以及内存单元的预充电和刷新等内部操作,VCM要求它独立于前端进程进行,即后台处理与前台处理可同时进行。由于专为这种“并行处理”创建了一个支撑架构,所以VCM能保持一个非常高的平均数据传输速度,同时不用对传统内存架构进行“大手笔”的更改。采用VCM后,系统设计人员不必再受限于目前令人捉襟见肘的内存工作方式,因为内存通道的运行与管理,都可移交给主板芯片组自己去解决。
◆快速循环动态存储器FCRAM:(Fast Cycle RAM)
  FCRAM由富士通和东芝联合开发,数据吞吐速度可达普通DRAM/SDRAM的4倍。FCRAM将目标定位在需要极高内存带宽的应用中,比如业务繁忙的服务器以及3D图形及多媒体处理等。FCRAM最主要的特点便是行、列地址同时(并行)访问,而不像普通DRAM那样,以顺序方式进行(首先访问行数据,再访问列数据)。此外,在完成上一次操作之前,FCRAM便能开始下一次操作。为提高内存的数据吞吐速度,FCRAM和VCM采取了截然不同的两种方式。前者从内部入手,后者则“内外一齐抓”,在拓宽内存(存储)单元、芯片接口、内存控制器的带宽上下大功夫。FCRAM的开发计划自1999年2月初便已开始。按照富士通和东芝的协议,它们将联合开发64MB、128MB和256MB的FCRAM。但和VCM、RDRAM内存技术不同的是,它面向的并不是PC机的主内存,而是诸如显示内存等其他存储器上。在制造工艺上,由于采用的是0.22微米工艺,所以FCRAM号称能做出世界上最小的内存颗粒。由于芯片面积减少,所以在相同的硅晶片上,可生产出更多的颗粒,从而有效提高了这种内存的产量。这样,一方面降低了生产成本,另一方面则提高了产品性能。富士通公司表示到2001年投入128MB和256MB FCRAM的量产,公司计划到2003年达到每月生产2~3百万片的生产能力。

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